[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 200780000462.1 | 申请日: | 2007-03-05 |
公开(公告)号: | CN101322225A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 山下润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置,其在腔室(1)的内周侧的多处均等地形成的气体喷出口(15),通过气体导入路(14)与在下部腔室(2)的上端和盖部(30)的上板(27)的下端的接触面部,由台阶部(18)和台阶部(19)形成的间隙的环状连通路(13)相连接。环状连通路(13)具有作为向各导入路(14)均等分配气体并供给气体的气体分配单元的功能,在下部腔室(2)的壁内的任意处通过沿垂直方向形成的气体通路(12)、气体导入口(72)与气体供给源(16)相连接。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其包括:能够真空排气的处理容器;在所述处理容器内载置被处理体的载置台;配置于所述处理容器的上部并将所述处理容器密闭的盖部;和向所述处理容器中导入用于激发等离子体的处理气体的气体导入机构,该等离子体处理装置的特征在于:所述气体导入机构包括:供给所述处理气体的处理气体供给源;向着所述处理容器内部的空间开口的多个气体喷出口;与所述多个气体喷出口相连接的共用的气体连通路;和使气体从所述处理气体供给源通过所述处理容器的壁内向所述气体连通路流通的气体流通机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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