[发明专利]隔热构造体、加热装置、加热系统、基板处理设备以及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200780000719.3 | 申请日: | 2007-02-09 |
公开(公告)号: | CN101395705A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 儿岛贤;杉浦忍 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种隔热构造体、加热装置、加热系统、基板处理设备以及半导体器件的制造方法,能够使得隔热构造体和加工处理管整体均匀地骤冷。一种用于立式的加热装置的隔热构造体,具有形成为圆筒形状的侧壁部,该侧壁部形成为内外多层结构,隔热构造体具有:设置在侧壁外层的上部的冷却气体供给口,上述侧壁外层配置在上述侧壁部的多层中的外侧;设置在侧壁内层和上述侧壁外层之间的冷却气体通道,上述侧壁内层配置在上述侧壁部的多层中的内侧;设置在上述侧壁内层的内侧的空间;以及设置在上述侧壁内层的比上述冷却气体供给口靠下方的位置,用于从上述冷却气体通道向上述空间喷出冷却气体的多个喷气孔。 | ||
搜索关键词: | 隔热 构造 加热 装置 系统 处理 设备 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于立式的加热装置的隔热构造体,具有形成为圆筒形状的侧壁部,上述侧壁部形成为内外多层结构,上述隔热构造体具有:设置在侧壁外层的上部的冷却气体供给口,上述侧壁外层配置在上述侧壁部的多层中的外侧;设置在侧壁内层和上述侧壁外层之间的冷却气体通道,上述侧壁内层配置在上述侧壁部的多层中的内侧;设置在上述侧壁内层的内侧的空间;以及设置在上述侧壁内层的比上述冷却气体供给口靠下方的位置,用于从上述冷却气体通道向上述空间喷出冷却气体的多个喷气孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780000719.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造