[发明专利]处理装置、处理方法及等离子源无效
| 申请号： | 200780000743.7 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101331594A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 钟江正巳;冲野晃俊;宫原秀一 | 申请（专利权）人： | 里巴贝鲁株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01J19/08;B08B3/02;B08B5/00;B08B7/00;G03F7/42;H01L21/306;H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及处理装置、处理方法及等离子源。提供一种可缩短准备时间而在处理性能上比以往更具可靠性的处理装置及处理方法。具有处理室(1)、设置在处理室内并保持被处理物(2)的保持机构(3)、向处理室内供给活性原子的活性原子供给机构(4)、以及向处理室内供给药液的药液供给机构(5)，对被处理物表面进行通过从活性原子供给机构供给活性原子来进行的干法处理、以及通过从药液供给机构供给的药液来进行的湿法处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 离子源 | ||
【主权项】：
1.一种处理装置，其特征在于，具有：处理室；设置在上述处理室内用以保持被处理物的保持机构；向上述处理室内供给活性原子的活性原子供给机构，以及，向上述处理室内供给药液的药液供给机构，对上述被处理物的表面进行通过从上述活性原子供给机构供给的活性原子进行的干法处理，以及通过从上述药液供给机构供给的药液进行的湿法处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于里巴贝鲁株式会社;国立大学法人东京工业大学，未经里巴贝鲁株式会社;国立大学法人东京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780000743.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
