[发明专利]成膜方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSi_x膜。在形成上述TiSi_x膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSi_x膜(507)的第三工序。

主权项

1.一种成膜方法，是在处理室内，在被处理基板上形成钛膜或钛化合物膜的成膜方法，其特征在于，具有：在所述被处理基板上形成硅化钛膜的硅化钛膜形成工序；和在所述硅化钛膜上形成钛膜的钛膜形成工序，所述硅化钛膜形成工序中，多次重复下述工序：向所述处理室导入钛化合物气体，使所述钛化合物气体吸附于所述被处理基板的表面的第一工序；停止向所述处理室导入所述钛化合物气体，除去残留在所述处理室内的所述钛化合物气体的第二工序；和向所述处理室导入氢气，并在所述处理室内生成等离子体，对吸附于所述被处理基板的含硅表面的所述钛化合物气体进行还原，同时使其与所述含硅表面的硅反应，形成硅化钛膜的第三工序，所述钛膜形成工序中，多次重复下述工序：将所述钛化合物气体和所述氢气导入所述处理室，并在所述处理室内生成等离子体，在所述被处理基板上形成钛膜的第四工序；和维持所述等离子体，并停止向所述处理室导入所述钛化合物气体，对所述钛膜进行等离子体退火的第五工序。