[发明专利]半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×10⁴倍以上，进行冷却处理。据此，实现即使晶粒的平均粒径微粒化到1.0μm以下，也具有5000以上的表观相对介电常数εr_APP和10以上的比电阻logρ(ρ：Ω·cm)的SrTiO₃类晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用它的层叠型半导体陶瓷电容器、它们的制造方法。

主权项

1.一种半导体陶瓷，是SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷，其特征在于，施主元素相对于Ti元素100摩尔，以0.8～2.0摩尔的范围固溶在晶粒中，并且受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在所述晶粒中；并且，受主元素以相对于所述Ti元素100摩尔，以0.3～1.0摩尔的范围存在于晶界中，并且晶粒的平均粒径为1.0μm以下。