[发明专利]用于制造平板显示器的铜互连无效
| 申请号： | 200780000969.7 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101379608A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 那须昭宣;陈易聪;陈玄芳 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种将铜互连层沉积到用于平板显示器互连系统中的衬底上的方法，包括以下步骤：a)在所述衬底上涂敷光敏抗蚀剂层；b)构图所述光敏抗蚀剂层，以获得包括至少一个沟槽的构图的光敏抗蚀剂层，所述沟槽被构图到所述光敏抗蚀剂层中；c)在所述被构图的光敏抗蚀剂层上提供第一催化层；d)提供沉积到所述第一催化层上的绝缘层的化学镀层；e)除去除在所述至少一个沟槽的位置之外的连续叠加的光敏抗蚀剂层、催化层和绝缘层，以获得第一催化层和沉积在其上的绝缘层的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 平板 显示器 互连 | ||
【主权项】：
1.一种将铜互连层沉积到用于平板显示器互连系统中的衬底上的方法，包括以下步骤:a)在所述衬底上涂敷光敏抗蚀剂层；b)构图所述光敏抗蚀剂层，以获得包括至少一个沟槽的构图的光敏抗蚀剂层，所述沟槽被构图到所述光敏抗蚀剂层中；c)在所述被构图的光敏抗蚀剂层上提供第一催化层，相比于所述第一催化层对所述光敏抗蚀剂层的粘附，所述第一催化层对至少一条沟槽中的所述衬底具有更好的粘附。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
