[发明专利]硅单晶提拉装置有效
| 申请号： | 200780001250.5 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101400834A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 古川纯 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及硅单晶提拉装置，其特征在于：该硅单晶提拉装置具有：存放硅熔融液的坩埚、将上述坩埚加热的加热器、使上述坩埚旋转和/或升降的坩埚驱动装置、容纳上述坩埚和加热器的容器、设于上述容器的外侧并对该容器外加磁场的磁场外加装置；上述磁场外加装置沿上述容器的外周面形成，可形成相对于上述坩埚的中心轴大致呈同心圆状的等磁线。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶提拉 装置 | ||
【主权项】：
1. 硅单晶提拉装置，该硅单晶提拉装置具有：存放硅熔融液的坩埚、将上述坩埚加热的加热器、使上述坩埚旋转和/或升降的坩埚驱动装置、容纳上述坩埚和加热器的容器、设于上述容器的外侧并对该容器外加磁场的磁场外加装置；其特征在于：上述磁场外加装置沿上述容器的外周面形成，可形成相对于上述坩埚的中心轴大致呈同心圆状的等磁线。
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