[发明专利]用复合盖改善硅化物形成的空气断开有效
| 申请号： | 200780001474.6 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101361172A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | K·洸汉·黄;R·波泰尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种结构和方法，用于调节硅化物应力，具体用于在n－FET的栅极导体上生长(402)有拉伸应力的硅化物区以优化n－FET的性能。更具体地，在n－FET结构上形成第一金属层－保护盖层－第二金属层叠层(403－406)。在第二金属层的沉积(406)之前，将保护层暴露(405)于空气。这一空气断开步骤改变了在保护盖层和第二金属层之间的粘附力，从而影响了硅化物形成期间在第一金属层上施加的应力。结果是对于n－FET的性能最佳的有更多拉伸应力/更少压缩应力的硅化物。此外，该方法能够使用相对薄的第一金属层－保护盖层－第二金属层叠层，具体地使用相对薄的第二金属层形成这种有拉伸应力的硅化物区，以最小化在栅极导体和侧壁间隔件之间的结处累积的机械能，从而避免硅桥联。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 改善 硅化物 形成 空气 断开 | ||
【主权项】：
1.一种自对准硅化物形成方法，包括以下步骤：在硅本体上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成保护层；将所述保护层的顶面暴露于空气一段时间；在所述保护层的所述顶面上形成第二金属层；和执行退火，以在所述硅本体上形成有拉伸应力的硅化物区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780001474.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固态成像装置、信号处理方法及照相机
- 下一篇：深孔切削装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
