[发明专利]电极及真空处理装置无效
| 申请号： | 200780001610.1 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101360846A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 佐竹宏次;坂井智嗣;弥政敦洋;渡边俊哉;山越英男;茂中俊明 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/455;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电极，其特征在于，具有：多个电极，其沿着被处理基板的面隔着规定间隔并排延伸；缓冲室，其在该多个电极之间沿着所述电极延伸；多个第一喷出口，其沿着所述电极延伸的方向设置，向所述缓冲室内供给反应气体；第二喷出口，其形成为在所述电极延伸的方向延伸的狭缝状，从所述缓冲室朝向所述被处理基板供给所述反应气体。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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