[发明专利]半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200780001749.6 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101361203A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 竹内邦生;久纳康光 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法。能够抑制支撑基板和半导体元件层的剥离的产生，并得到可靠性高的半导体发光元件。该半导体发光元件包括：支撑基板(1)；在支撑基板(1)上形成的第一接合层(2a)；在第一接合层(2a)上形成的第二接合层(2b)；在第二接合层(2b)上形成的第三接合层(2c)；和在第三接合层(2c)上形成的半导体元件层(3)。并且，第二接合层(2b)的熔点低于第一接合层(2a)和第三接合层(2c)的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 照明 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：支撑基板(1)；在所述支撑基板上形成的第一共晶合金层(2a)；在所述第一共晶合金层上形成的第二共晶合金层(2b)；在所述第二共晶合金层上形成的第三共晶合金层(2c)；和在所述第三共晶合金层上形成的包括发光层(3d)的半导体元件层(3)，所述第二共晶合金层的熔点低于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的熔点。
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