[发明专利]金属杂质的引入以改变导电电极的功函数无效
| 申请号： | 200780001799.4 | 申请日： | 2007-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101361173A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | M·P·胡齐克;B·B·多里斯;S·古哈;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里;Y·Y·王;K·孔洪翁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供半导体结构，例如场效应晶体管(FET)和/或金属－氧化物－半导体电容器(MOSCAP)，其中通过向包含金属的材料层中引入金属杂质来改变导电电极叠层的功函数，该包含金属的材料层与导电电极一起存在于电极叠层中。金属杂质的选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本发明还提供一种制造该半导体结构的方法。金属杂质的引入可以通过共沉积这样的层而实现，该层包含包含金属的材料和改变功函数的金属材料，形成其中在包含金属的材料的层之间存在金属杂质层的叠层，或者通过在包含金属的材料之上和/或之下形成包括金属杂质的材料层，然后加热该结构以将金属杂质引入包含金属的材料中而实现。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 杂质 引入 改变 导电 电极 函数 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：材料叠层，其包括具有大于二氧化硅的介电常数的电介质、位于所述电介质之上的金属杂质包含层、以及位于所述金属杂质包含层之上的导电电极，其中在所述金属杂质包含层中包括包含金属的材料和至少一种改变功函数的金属杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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