[发明专利]用于制造具有界面帽结构的末层铜到C4连接的方法有效
| 申请号： | 200780001812.6 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101361174A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | T·H·道本斯佩克;W·F·兰德斯;D·S·祖潘斯基－尼尔森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造具有基本上没有铝的末层铜到C4连接的半导体器件的方法。具体而言，所述末层铜到C4连接包括包含CoWP、NiMoP、NiMoB、NiReP、NiWP及其组合的界面帽结构(30)。优选地，所述界面帽结构包括至少一个CoWP层。通过选择性无电镀敷方法可以容易地在末层铜互连(22)之上形成这样的CoWP层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 界面 结构 末层铜到 c4 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括嵌入在末层介质层(20)中的末层铜互连；形成界面导电帽结构(30)，所述界面导电帽结构(30)选择性地覆盖所述末层铜互连(22)，其中所述界面导电帽结构(30)包括CoWP、NiMoP、NiMoB、NiReP、NiWP及其组合；在所述界面导电帽结构(30)和所述末层介质层(20)之上形成第一介质帽层(32)；在所述第一介质帽层(32)之上形成至少一个附加的介质帽层；形成通过所述第一介质帽层(32)和所述至少一个附加的介质帽层的过孔以暴露所述界面导电帽结构(30)；在所述界面导电帽结构(30)之上的所述过孔中形成至少一个球限冶金(BLM)层(70)；以及在所述至少一个BLM层之上形成至少一个可控塌陷芯片连接(C4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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