[发明专利]场效应晶体管

摘要

一种场效应晶体管，具有：工作区域(12)，形成在化合物半导体衬底(11)上；栅极电极(13)，形成在工作区域(12)上；源极电极(14)及漏极电极(15)，夹着栅极电极(13)而交替形成在工作区域(12)上；接合焊盘(18、19)，用于与外部电路连接；电极连接部(20a)，与源极电极(14)或漏极电极(15)连接；空中桥(20)，具有与接合焊盘(18、19)连接的焊盘连接部(20b)、及将电极连接部(20a)及焊盘连接部(20b)之间连接的空中布线部(20c)，在各个空中桥(20)的宽度方向的剖面，电极连接部20a的剖面面积小于等于空中布线部(20c)的剖面面积，及/或电极连接部的宽度设置得比空中布线部的宽度窄。

主权项

1.一种场效应晶体管，其特征在于，具有：工作区域，形成在化合物半导体衬底上；栅极电极，形成在上述工作区域上；源极电极及漏极电极，夹着上述栅极电极而交替形成在上述工作区域上；接合焊盘，用于与外部电路连接；及空中桥，具有与上述源极电极或上述漏极电极连接的电极连接部、及将上述电极连接部及上述焊盘连接部之间连接的空中布线部，宽度方向上的上述电极连接部的剖面面积小于等于上述空中布线部的剖面面积，且上述空中桥与上述接合焊盘连接。