[发明专利]SOI晶片的制造方法及SOI晶片有效
申请号: | 200780002924.3 | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN101371334A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 八木真一郎 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L27/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种SOI晶片的制造方法,是针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上,使磊晶层生长来增厚SOI层的SOI晶片的制造方法,其特征为:以使上述磊晶层生长的SOI晶片的磊晶生长开始时的加热光的波长域中的表面反射率,成为30%以上80%以下的方式,来进行磊晶生长。由此,提供一种SOI晶片的制造方法,针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上,使磊晶层生长来增厚SOI层的SOI晶片的制造方法,可制造出滑移位错等较少的高质量的SOI晶片。 | ||
搜索关键词: | soi 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SOI晶片的制造方法,是针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上,使磊晶层生长增厚SOI层的SOI晶片的制造方法,其特征为:以使上述磊晶层生长的SOI晶片的磊晶生长开始时的加热光的波长域中的表面反射率,成为30%以上80%以下的方式,来进行磊晶生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造