[发明专利]用于在半导体装置中形成额外金属布线的系统和方法

摘要

例如DRAM存储器装置等存储器装置可在所述DRAM存储器的局部互连上方包括一个或一个以上金属层，所述金属层与存储器装置的下部栅极区域接触。随着半导体组件的大小减小和电路密度增加，这些上部金属层中的金属布线的密度变得越来越难以制造。通过在下部栅极区域中提供可耦合到上部金属层的额外金属布线，可减轻上部金属层的间隔要求，同时维持所述半导体装置的大小。此外，可以捆扎配置将形成于所述存储器装置的栅极区域中的额外金属布线设置成平行于其它金属触点，从而减小所述金属触点的阻力，所述金属触点例如是DRAM存储器单元的埋入式数字线。

主权项

1.一种在包含存储器阵列和外围阵列的半导体装置中形成额外金属布线的方法，所述方法包含：在所述存储器阵列和所述外围阵列中的至少一者中形成多个晶体管，其中在所述晶体管的每一者上方形成氮化物罩；蚀刻选定氮化物罩的一部分；以及在所述选定氮化物罩的所述蚀刻掉部分中沉积金属膜以形成额外金属布线。