[发明专利]压力传感器封装体和电子器件无效

专利信息
申请号: 200780003176.0 申请日: 2007-01-19
公开(公告)号: CN101375146A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 山本敏;桥本干夫;铃木孝直 申请(专利权)人: 株式会社藤仓
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;H01L29/84
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的压力传感器封装体(10)具有:压力传感器(11),在半导体衬底(12)的一面,在其中央区域(α)的内部具有空间(13),把位于该空间的上部的薄板化了的区域作为隔膜部(14),在该隔膜部配置有压敏元件(15),在所述一面,至少具有第一导电部(17),该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域(β),并且与所述各压敏元件电连接;以及第一凸起(18),单独配置于所述第一导电部之上,并且与所述第一导电部电连接。所述外缘区域的半导体衬底的厚度D1、所述隔膜部的厚度D2、所述空间的高度D3、在所述中央区域除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度D4,满足(D2+D3)<<D4,并且D1≈D4。
搜索关键词: 压力传感器 封装 电子器件
【主权项】:
1.一种压力传感器封装体,具有:压力传感器,在半导体衬底的一面,在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间,并以位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部,在该隔膜部配置有压敏元件,在所述一面,至少具有第一导电部,该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域,并且与所述压敏元件电连接;以及第一凸起,单独配置于所述第一导电部之上,并且与所述第一导电部电连接;其特征在于:当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为D1,所述隔膜部的厚度定义为D2,所述空间的高度定义为D3,在所述中央区域,除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为D4时,(D2+D3)<
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社藤仓,未经株式会社藤仓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780003176.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

tel code back_top