[发明专利]高单元密度沟槽MOSFET中的不同台面尺寸有效
| 申请号： | 200780003837.X | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101375401A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王琦;戈登·乔治·西姆 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了在保持低闩住基极电阻的同时具有用于高电流承载能力的高单元密度的功率MOSFET的电路、方法、以及设备。一个器件采用具有不同台面(沟槽栅极之间的区)尺寸的多个晶体管单元。在多个较大单元中利用重体蚀刻来减小闩住基极电阻。该蚀刻去除台面区中的硅，随后以低阻抗的铝来代替。没有接受该蚀刻的多个较小单元被用来增加器件的电流能力。通过确保这些单元具有较低BVDSS击穿电压来将雪崩电流导向尺寸较大、闩住基极电阻较低的单元。可通过调整在较宽台面任一侧上的沟槽栅极的临界尺寸或宽度，或通过调整重体蚀刻的深度来改变大单元的BVDSS。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 密度 沟槽 mosfet 中的 不同 台面 尺寸 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅功率MOSFET器件，包括：多个第一单元，具有第一单元间距，使用重体蚀刻形成所述多个第一单元；多个第二单元，具有第二单元间距，所述第二单元间距窄于所述第一单元间距，所述多个第二单元不是使用所述重体蚀刻形成的。
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