[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有硅衬底(3)和由化合物半导体构成的主半导体区域(4)。在硅衬底(3)上外延生长主半导体区域(4)时主半导体区域(4)的III族元素向硅衬底热扩散，从而在硅衬底(3)上产生p型硅半导体层(9)。该p型硅半导体层(9)被用作过电压保护二极管的构成要素。过电压保护二极管相对基于主半导体区域(4)的发光二极管并联连接。

主权项

1.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：准备硅衬底，该硅衬底具有一个及另一个主面，并且，包括从所述一个主面的第一部分形成到预定深度的n型硅半导体层、和包围所述n型半导体层的p型半导体部分；在所述硅衬底的所述一个主面上外延生长含有III族元素的第一导电型化合物半导体，形成第一导电型化合物半导体层，并且在所述第一导电型化合物半导体层上外延生长第二导电型化合物半导体，形成第二导电型化合物半导体层，得到主半导体区域，同时使所述第一导电型化合物半导体层的III族元素从所述硅衬底的所述一个主面向所述硅衬底中热扩散得比所述n型硅半导体层浅，得到p型硅半导体层；除去所述主半导体区域的一部分，使所述硅衬底的所述一个主面的所述第一部分露出；在所述硅衬底的所述一个主面的所述第一部分形成沟槽，将所述p型硅半导体层分割为配置在所述n型硅半导体层上的第一部分、和与所述第一部分电隔离的第二部分，并且，使所述p型硅半导体层的所述第一部分与所述n型硅半导体层之间的pn结的端部、及所述硅衬底的p型半导体部分与所述n型硅半导体层之间的pn结的端部在所述沟槽露出；形成第一电极，该第一电极与在所述硅衬底的所述一个主面的第二部分上残存的所述主半导体区域的所述第二导电型化合物半导体层和所述p型硅半导体层的所述第一部分连接；形成与所述硅衬底的所述p型半导体部分连接的第二电极。