[发明专利]用于大基片上沉积的磁控管源有效
| 申请号： | 200780004008.3 | 申请日： | 2007-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101646799A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 郭信生 | 申请（专利权）人： | 亚升技术公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来在沉积系统中靠近靶表面产生磁场的磁控管源，其包括第一磁体，沿着第一方向与第一磁体通过间隙隔开的第二磁体，以及靶托，该靶托被配置来保持处于第一磁体和第二磁体之间的间隙中的靶。所述靶包括溅射表面，由此靶材料可以被溅射和沉积到基片上。将靶托如此配置以使得溅射表面基本上平行于所述第一方向并且第一磁体和第二磁体能够靠近靶表面产生磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大基片上 沉积 磁控管源 | ||
【主权项】：
1.一种用来在沉积系统中靠近靶表面产生磁场的磁控管源，其包含：第一磁体；沿着第一方向与所述第一磁体通过间隙隔开的第二磁体；以及靶托，该靶托被配置来保持处于所述第一磁体和所述第二磁体之间的间隙中的靶，其中所述靶包括溅射表面，由此靶材料可以被溅射和沉积到基片上，并且其中将靶托如此配置以使得所述溅射表面基本上平行于所述第一方向并且所述第一磁体和所述第二磁体能够靠近所述靶的表面产生磁场。
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