[发明专利]半导体器件以及将卤素并入电介质的方法无效
| 申请号： | 200780004728.X | 申请日： | 2007-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101427363A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 罗天英;奥卢邦米·O·阿德图图;埃里克·D·卢克夫斯基;纳拉亚南·C·拉马尼 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质(104)，将所述栅极电介质暴露到卤素，以及将所述卤素并入所述栅极电介质(106)中。在一个实施例中，所述卤素是氟。在一个实施例中，所述栅极电介质还暴露到氮且所述氮并入所述栅极电介质(108)。在一个实施例中，所述栅极电介质是金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 卤素 并入 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极电介质；将所述栅极电介质暴露到包括卤素的等离子体；将所述卤素并入所述栅极电介质中；在所述栅极电介质上形成栅电极；以及邻近所述栅电极形成电流电极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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