[发明专利]具有嵌入式非易失性存储器的集成电路的制作方法无效
| 申请号： | 200780004902.0 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101438393A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | C-N·B·李;C·M·洪 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：将位于衬底上的栅堆叠层(20-28)图案化为栅堆叠(18)；在邻近栅堆叠的衬底中注入掺杂剂离子(30)以形成浅源/漏扩展注入区(32)；在第一氧化条件下氧化栅堆叠(18)以在栅堆叠(18)的侧壁上形成氧化层(34)；以及在第二氧化条件下氧化栅堆叠以进一步在栅堆叠的侧壁上形成氧化层(34)的氧化。所述第二氧化条件与所述第一氧化条件不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 非易失性存储器 集成电路 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成嵌入式非易失性存储器(NVM)的方法，包括：将位于衬底上的NVM栅堆叠层图案化为NVM栅堆叠；在邻近NVM栅堆叠的衬底中注入掺杂剂离子以形成浅源/漏扩展注入区；在第一氧化条件下氧化NVM栅堆叠以在NVM栅堆叠的侧壁上形成NVM氧化层；以及在第二氧化条件下氧化NVM栅堆叠以在NVM栅堆叠的侧壁上形成NVM氧化层的进一步氧化，所述第二氧化条件与所述第一氧化条件不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
