[发明专利]用于制造大晶体金刚石的材料和方法无效
| 申请号： | 200780004914.3 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101379225A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | H·H·尼 | 申请（专利权）人： | 目标技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C01B31/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;李炳爱 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了在部分真空中使用微波等离子化学气相沉积法(CVD)法用含有甲烷/氢混合物并任选添加氮、氧和氙的气态混合物形成单晶金刚石生长物用的材料的方法。单晶基底可以通过改性的定向固化法使用真空诱发熔融法由至少一种下列材料开始形成：纯镍或包括钴、铁或其组合的镍合金。使用电子束蒸发设备用纯铱或铱和选自铁、钴、镍、钼、铼及其组合的组分的合金涂布单晶基底表面。将该合金涂布的单晶基底置于微波等离子CVD反应器中并在甲烷、氢和其它任选气体的气态混合物存在下用负100至400伏特的偏压施以偏向增强成核处理后在其涂布表面上支持大单晶金刚石的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 晶体 金刚石 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.生长单晶金刚石的方法，包括:选择单晶基底，包括具有至少一个平坦表面和固定在其上的涂层的单晶平台，所述平台包括含镍和选自铁、钴及其组合的组分的镍合金，所述涂层包括含铱和选自铁、钴、镍、钼、铼及其组合的组分的铱合金；提供包含甲烷和氢的气体混合物；使所述甲烷在所述基底存在下离解以使单晶金刚石沉积到所述涂层上，所述金刚石晶体具有与所述基底的所述晶体结构对应的晶体结构。
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