[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号： | 200780005013.6 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101379594A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 田才忠;野泽俊久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置可防止在使用了等离子的处理容器内堆积不需要的附着膜。该装置包括：处理容器(34)，其内部可抽成真空，且具有开口的顶部(54a)、侧壁(34a)和底部(34b)；载置台(36)，其为了载置被处理体(W)而设置在上述处理容器(34)内；顶板(54)，其气密地安装于顶部(54a)，由可使微波透过的电介体构成；平面天线构件(58)，其设置于顶板(54)的上表面上，用于向处理容器内导入微波；微波供给部件(60)，其用于向平面天线构件供给微波；气体导入部件(44)，其用于向处理容器(34)内导入必要的处理气体。在处理容器(34)内，与易于堆积不需要的附着膜的部分相对应地设置自顶板(54)延伸的由电介体制的膜附着防止部件(78)。膜附着防止部件(78)由棒状构件(104)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其特征在于，该装置包括:处理容器，其内部可抽成真空，且具有侧壁、底部及开口的顶部；载置台，其为了载置被处理体而设置在上述处理容器内；顶板，其气密地安装于上述顶部，由可使微波透过的电介体构成；平面天线构件，其设置于上述顶板的上表面上，用于向上述处理容器内导入微波；微波供给部件，其用于向上述平面天线构件供给微波；气体导入部件，其用于向上述处理容器内导入必要的处理气体；在上述处理容器内，与易于堆积不需要的附着膜的部分相对应地设置自上述顶板延伸的由电介体构成的膜附着防止部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
