[发明专利]用于高压气体退火的方法及设备无效
| 申请号： | 200780005080.8 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101385131A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 洪锡东;金相信;曼纽尔·斯科特·里韦拉 | 申请（专利权）人： | 株式会社豊山MICROTEC |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 党晓林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于在高压气体环境中对半导体器件进行退火的新颖方法和设备。根据一个实施方式，退火容器具有双室结构，在内室中限定有可能有毒、易燃或其它活性气体，该内室通过容纳在外室中的惰性气体的压力而受到保护。输入气体传送系统和排气排放系统同样也通过各种方法而受到保护。本发明的实施方式可用于例如半导体制造处理中的高K栅极介质退火、金属化后烧结退火和合成气体退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 气体 退火 方法 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种在高压退火中使用的设备，该设备包括：内室，所述内室由非金属材料制成，其中所述内室被设计成保持第一气体的第一气体压力；以及外室，所述外室由金属材料制成，其中所述外室容纳所述内室并被设计成保持所述内室外部的第二气体的第二气体压力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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