[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效

专利信息
申请号: 200780005104.X 申请日: 2007-02-09
公开(公告)号: CN101385128A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 西村荣一;菊地贵伦 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/304
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197),臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O3)气体。
搜索关键词: 处理 装置 方法 以及 存储 介质
【主权项】:
1. 一种基板处理装置,其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理装置,其特征在于,包括:使所述氧化物层与气体分子发生化学反应,在所述表面上生成生成物的化学反应处理装置;和对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理装置,其中,所述热处理装置包括:收容所述基板的收容室;和向该收容室内供给臭氧气体的臭氧气体供给系统。
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