[发明专利]在表面上进行结晶化合物图案化无效

专利信息
申请号: 200780005714.X 申请日: 2007-02-14
公开(公告)号: CN101385155A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: M·高梅;P·埃尔克;F·里希特;Z·包;S·刘 申请(专利权)人: 巴斯夫欧洲公司;利兰斯坦福青年大学托管委员会
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/05
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 刘金辉;张雪珍
地址: 德国路*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用至少一种有机半导体化合物图案化基质表面的方法,其包括如下步骤:(a)提供具有包括多种在其中形成的压痕的表面限定压痕图案的印模,其中所述压痕与压印表面邻接并且限定压印图案,(b)用能与基质表面结合并且结合至少一种有机半导体化合物(S)的至少一种化合物(C1)涂覆所述压印表面,(c)使至少一部分基质表面与所述压印表面接触以使得所述化合物(C1)沉积在基质上,(d)除去所述压印表面以在基质表面上提供结合点的图案,(e)将多种有机半导体化合物(S)的微晶施涂在基质表面以使至少一部分施涂的微晶能与基质表面上的至少一部分结合点结合。
搜索关键词: 表面上 进行 结晶 化合物 图案
【主权项】:
1. 一种用至少一种结晶化合物图案化基质表面的方法,其包括如下步骤:使能与基质表面结合并能结合至少一种结晶化合物的至少一种化合物(C1)和/或能与基质表面结合并能防止结晶化合物结合的至少一种化合物(C2)沉积在基质表面上。
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