[发明专利]超导薄膜材料的制造方法，超导装置和超导薄膜材料无效
| 申请号： | 200780005871.0 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101385096A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 母仓修司;大松一也;上山宗谱;长谷川胜哉 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C30B29/22;H01B12/06;H01F6/06;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造超导薄膜材料的方法，其包括通过气相方法形成超导层(3)的气相步骤，以及通过液相方法形成超导层(4)的液相步骤，该液相步骤使得后面的超导层(4)与前面的超导层(3)相接触。优选地，该方法还包括在前面的超导层(3)和金属衬底(1)之间形成中间层(2)的步骤。金属衬底(1)由金属制成，并且优选地中间层(2)由具有岩石类型、钙钛矿类型和烧绿石类型中的任意一种晶体结构的氧化物制成，并且前面的超导层(3)和后面的超导层(4)都具有RE123组合物。因此，可以改善临界电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 薄膜 材料 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种制造超导薄膜材料(10)的方法，其包括：通过气相方法形成气相生长超导层(3)的气相步骤(S3)；以及通过液相方法形成液相生长超导层(4)的液相步骤(S4)，该液相步骤使得所述液相生长超导层与所述气相生长超导层相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780005871.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阳离子双子表面活性剂及合成方法
- 下一篇：一种锗量子点的制备方法
