[发明专利]从基片边缘注入处理调谐气体无效
| 申请号： | 200780006231.1 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101389788A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 大体而言，本发明的实施例提供了改进的等离子处理机构、设备和方法以提高基片边缘处的处理均匀性。在一个示范性实施例中，提供一种等离子处理室。该等离子处理室包括一个配置为容纳基片的基片支撑件。该等离子处理室还包括一个具有多个限定于其中的气体通道的环形圈。该环形圈邻近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与该基片支撑件耦合。该多个气体通道连接至一个围绕该基片支撑件的边缘气体室。该边缘气体室通过多个气体供应管道连接至一个设置在该基片支撑件内且靠近该基片支撑件中心的中央气体室。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 注入 处理 调谐 气体 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子处理室，包括:用于容纳基片的基片支撑件；以及具有多个限定于其中的气体通道的环形圈，该环形圈接近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与该基片支撑件耦合，该多个气体通道连接至围绕该基片支撑件的边缘气体室，该边缘气体室通过多个气体供应通道连接至中央气体室，该中央气体室设于该基片支撑件内且靠近该基片支撑件的中心。
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