[发明专利]电力供应控制器有效
| 申请号： | 200780006291.3 | 申请日： | 2007-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101390289A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 高桥成治;加藤雅幸;古都正彦;一色功雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H02M1/00;H02M1/08;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当栅极驱动器(28)在正常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时，仅驱动电荷泵(90)并对功率MOSFET(14)进行正常充电操作。当栅极驱动器在负载异常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时，在负载电流(IL)超过第二异常阈值电流(Ilfc)时，除了电荷泵(90)之外，还接通用于异常时间的急速充电FET(92)，并进行快速充电操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电力供应 控制器 | ||
【主权项】：
1. 一种电力供应控制器，包括：MOSFET，被置于电源和负载之间；电流检测元件，被配置为输出与通过所述MOSFET的负载电流相对应的电流检测信号；过电流保护电路，被配置为如果根据所述电流检测信号确定第一电流异常，则对所述MOSFET进行强制切断操作，其中所述第一电流异常是通过所述MOSFET的负载电流超过第一阈值；充电电路，被配置为根据外部接通信号通过向所述MOSFET的栅极施加充电电流来接通所述MOSFET，所述充电电路能改变其充电速率；以及控制电路，被配置为如果根据所述电流检测信号确定第二电流异常，则增加所述充电电路的充电速率，以使所述充电速率高于当所述负载电流等于或低于所述第二阈值时的充电速率，其中所述第二电流异常是通过所述MOSFET的负载电流超过了低于所述第一阈值的第二阈值。
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