[发明专利]元件的接合结构无效
| 申请号： | 200780006638.4 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101390215A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 占部宏成;松浦宜范;久保田高史 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 冯 雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在n+-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散，可维持欧姆特性，可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，该元件的接合结构的特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A18～5×1021原子/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 接合 结构 | ||
【主权项】：
1. 元件的接合结构，它是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，其特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。
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