[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明提供半导体发光元件。一种在基板上依次层叠有p型半导体层(220)、活性层(230)、n型半导体层(240)的半导体发光元件，在上述n型半导体层(240)上形成有一侧的宽度与上述n型半导体层(240)的一侧的宽度相同的矩形状的n侧电极(241)，上述n型半导体层(240)的厚度t满足公式1的关系，在上述半导体发光元件的沿层叠方向延伸的侧面(270)上，形成有多个凸部(271)，当从上述活性层(230)发出的光的波长为λ，上述n型半导体层(240)和上述p型半导体层(240)的任一方的折射率都为n时，上述凸部的底部宽度的平均宽度W_A为W_A≥λ/n。[公式1]为右式，其中，L：与上述n型半导体层的一侧的宽度不同的另一侧的宽度；T：绝对温度；W：与上述n侧电极的一侧的宽度不同的另一侧的宽度；J₀：上述n侧电极和上述n型半导体层的接触部分中的电流密度；e：元电荷；γ：二极管的理想系数；κ_B：玻耳兹曼常数；ρ：上述n型半导体层的电阻率。

主权项

1. 一种半导体发光元件，包括：基板；由所述基板支撑的p型半导体层；配置在比所述p型半导体层更加离开所述基板的位置上的n型半导体层；和配置在所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的活性层，其特征在于：在所述n型半导体层上形成一侧的宽度与所述n型半导体层的一侧的宽度相同的矩形状的n侧电极；所述n型半导体层的厚度t满足公式1的关系；在所述半导体发光元件的沿层叠方向延伸的侧面上，形成多个凸部；当从所述活性层发出的光的波长为λ，所述n型半导体层和所述p型半导体层的任一个的折射率都为n时，所述凸部的底部宽度的平均宽度WA为WA≥λ/n，[公式1]为其中，L：与所述n型半导体层的一侧的宽度不同的另一侧的宽度T：绝对温度W：与所述n侧电极的一侧的宽度不同的另一侧的宽度J0：所述n侧电极和所述n型半导体层的接触部分中的电流密度e：元电荷γ：二极管的理想系数KB：玻耳兹曼常数ρ：所述n型半导体层的电阻率。