[发明专利]半导体装置、其制造方法以及用于该制造方法的溅射用靶材无效
| 申请号： | 200780007008.9 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101395290A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 小池淳一 | 申请（专利权）人： | 合同会社先端配线材料研究所 |
| 主分类号： | C22C9/05 | 分类号： | C22C9/05;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C23C14/34;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置能使阻挡层具有充分阻挡Cu从布线本体扩散、和Si从绝缘膜侧扩散的作用，还能提高阻挡层与绝缘膜之间的附着性，从而具有优异的长时间工作的可靠性。本发明的半导体装置(1)在绝缘膜(3)上设有布线，包括：含有硅(Si)的绝缘膜(3)；形成于绝缘膜(3)中设置的槽状开口部(4)内、由铜(Cu)形成的布线本体(8)；以及形成于布线本体(8)和绝缘膜(3)之间、由含有Cu、Si、Mn的氧化物形成的阻挡层7，Cu原子浓度从布线本体(8)侧向绝缘膜(3)侧单调递减，Si原子浓度从绝缘膜(3)侧向布线本体(8)侧单调递减，在Cu的原子浓度和Si的原子浓度大致相等的区域Mn的原子浓度为最大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 用于 溅射 用靶材 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，是在绝缘膜上设有布线的半导体装置，其特征在于，包括：含有硅(Si)的绝缘膜；形成于所述绝缘膜中设置的槽状开口部内、由铜(Cu)形成的布线本体；以及形成于所述绝缘膜和布线本体之间、由Mn系氧化物形成的阻挡层，在厚度方向的中心部锰(Mn)的原子浓度为最大。
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