[发明专利]对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作有效
| 申请号： | 200780007206.5 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101395673A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 尼玛·穆赫莱斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 由于基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中所存储的电荷的电场耦合，可能发生非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上所存储的表观电荷的移位。所述问题最显著发生于已在不同时间编程的若干组相邻存储器单元之间。为了解决此耦合，针对特定存储器单元的读取过程将向相邻存储器单元提供补偿，以便减小所述相邻存储器单元对所述特定存储器单元具有的耦合效应。为此，将读取电压施加至选定存储器单元的字线，将第二通过电压施加至与所述选定存储器单元相邻的存储器单元的字线，且将第一通过电压施加至其它字线。在读取所述选定存储器单元之前，读取所述相邻存储器单元的状态，且根据此状态，设定所述第二通过电压。 | ||
| 搜索关键词： | 浮动 栅极 耦合 具有 补偿 非易失性 存储 装置 读取 操作 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储系统，其包含：多个非易失性存储元件；以及一个或一个以上管理电路，其与所述多个非易失性存储元件通信，所述一个或一个以上管理电路通过施加读取比较电压至选定字线来从连接至所述选定字线的选定非易失性存储元件读取数据，所述一个或一个以上管理电路施加第一通过电压至第一组非选定字线，同时施加第二通过电压至邻近非选定字线，所述一个或一个以上管理电路结合所述读取比较电压、所述第一通过电压和所述第二通过电压来感测所述选定非易失性存储元件的状况。
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