[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200780007229.6 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101395708A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杉野光生;八月朔日猛;和田雅浩;新井政贵 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置1包括基板3、安装在基板3上的半导体芯片4、连接基板3和半导体芯片4的凸块5和填充凸块5周围的底填料6。当凸块5是熔点为230℃或以上的高熔点焊料时，底填料6是弹性模量为30MPa～3000MPa的树脂材料。当凸块5是无铅焊料时，底填料6是弹性模量为150MPa～800MPa的树脂材料。在25℃～玻璃转化温度之间，装配层31的绝缘层311在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 半导体装置，其包括：基板，安装在基板上的半导体元件，连接基板和半导体元件的凸块，和填充凸块周围的底填料，其中，凸块包括熔点为230℃或以上的高熔点焊料，底填料包括弹性模量30MPa～3000MPa的树脂材料，基板具有含树脂绝缘层与导电互联层交替层压的装配层，每个导电互联层通过绝缘层中的通孔内形成的导电层连接，且在25℃至玻璃转化温度之间，装配层的绝缘层在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
