[发明专利]二次电池和其制造方法以及系统有效
| 申请号： | 200780007579.2 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101395744A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 马场守 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人岩手大学 |
| 主分类号： | H01M4/70 | 分类号： | H01M4/70;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小灿;张 涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供在能提高金属箔和活性物质的紧密性，并实现薄型化和轻量化的同时，具有可扰性，充放电性优异的二次电池和其制造方法以及系统。特征是：在表面粗糙度RMS为0.8μm或以下的导电性薄片基板上，形成由正极活性物质层，电解质层，负极活性物质形成的顺序叠层，或者由负极活性物质层，电解质层，正极活性物质层形成的顺序叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 制造 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
1. 二次电池，其特征包括：在表面粗糙度RMS为0.8μm或以下的导电性薄片基板上形成，由正极活性物质层，电解质层，负极活性物质层形成的顺序叠层，或者由负极活性物质层，电解质层，正极活性物质层形成的顺序叠层。
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