[发明专利]表面等离子体共振传感器用芯片和表面等离子体共振传感器无效
| 申请号： | 200780007815.0 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101395462A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 松下智彦;山下英之;西川武男;中村惠子;莲井亮介;青山茂 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供表面等离子体共振传感器用芯片和表面等离子体共振传感器。在透明基板(12)的上表面形成有Au等金属层(13)。在金属层(13)的上表面形成厚度互不相同的介电质层(14a、14b、14c)(任意一个介电质层的厚度也可为0)，分别构成测定区域(15a、15b、15c)。并且，在介电质层(14a、14b、14c)的上表面固定不同种类的抗体(22a、22b、22c)。而且，对照射光而在测定区域(15a、15b、15c)反射的信号进行接收，分析将其分解后得到的信号，从而能够同时检测各测定区域的表面状态。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 传感 器用 芯片 传感器 | ||
【主权项】：
1. 一种表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，该表面等离子体共振传感器用芯片由基板、形成于所述基板的上表面的金属层、以及形成于所述金属层上的多个介电质层构成，多个所述介电质层之中的至少一部分的厚度互不相同(包括厚度为0的情况)。
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