[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 200780008001.9 | 申请日： | 2007-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101395296A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 尤金·Y·伊瓦诺夫;袁永文;戴维·B·斯马瑟斯;罗纳德·G·乔丹 | 申请（专利权）人： | 陶斯摩有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供包含铝和一种或多种合金元素的溅射靶，该合金元素包括Ni、Co、Ti、V、Cr、Mn、Mo、Nb、Ta、W和稀土金属(REM)。向纯铝和铝合金靶中添加非常少量的合金元素通过影响靶的重结晶过程改善沉积的配线膜的均匀性。合金元素含量的范围为0.01-100ppm且优选为0.1-50ppm且更优选为0.1-10ppm重量，其足以防止纯铝和铝合金(例如30ppm Si合金)的动态重结晶。添加少量合金元素提高纯铝和铝合金薄膜的热稳定性和抗电迁移性，同时维持它们的低电阻率和良好的可蚀刻性。本发明还提供制造微合金化的铝和铝合金溅射靶的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体集成电路器件、平板显示器以及其它应用的溅射靶，其由铝和一种或多种其它元素或铝合金和一种或多种第二元素制成。
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