[发明专利]使用低能量等离子体系统制造高介电常数晶体管栅极的方法和装置无效
| 申请号： | 200780008358.7 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101401194A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | T·C·楚埃;S·洪;P·M·刘;佐藤辰也;A·M·派特森;V·托多罗夫;J·P·霍兰 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大致上是提供适以于基片上形成高质量的栅极介电层的方法与设备。实施例包含一方法，其中金属等离子体处理工艺是用来代替标准的氮化工艺，以于基片上形成高介电常数(k)层。实施例更包含适以“注入”较低能量的金属离子的设备，以减少离子轰击对栅极介电层(如二氧化硅层)的破坏及避免金属原子与下面的硅结合。一般而言，此工艺包括形成高k介电层、然后处理沉积的材料，以于栅极电极与高k介电材料之间形成良好界面。实施例还提供组合工具，其适于形成高k介电材料、终止高k介电材料的表面、实行预定之后处理步骤、以及形成栅极层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 能量 等离子体 系统 制造 介电常数 晶体管 栅极 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件的方法，包含：在基片的表面上形成具有预定厚度的介电层；利用低能量溅射工艺将一定数量的第一材料置入该介电层内，以形成一至少贯穿所形成的介电层的一部分厚度的浓度梯度，其中该低能量溅射工艺包含以第一射频频率与第一射频功率将射频能量提供给低能量溅射室的处理区域，使得标靶的第一材料可被置于该介电层中；以及在该介电层上沉积第二材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780008358.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种甲烷液相连续氧化制备甲醇的工艺
- 下一篇：一种防潮取暖电热板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
