[发明专利]改善大面积基板均匀性的方法和设备有效
申请号: | 200780010242.7 | 申请日: | 2007-03-07 |
公开(公告)号: | CN101443474A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | S·Y·崔;J·M·怀特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例大致上提供改善沉积在大面积基板上膜(特别是沉积在PECVD系统中的膜)的均匀性的方法与设备。在一实施例中,一等离子处理腔室是被建构成相对于基板为非对称,以补偿腔室中被不希望磁场造成的等离子密度非均匀性。在另一实施例中,一等离子处理腔室是适用以建立一中性电流分流路径,其可以减少电流,其中该电流是流动通过腔室中一产生磁场的特征结构。在另一实施例中,本发明是提供一种在等离子处理腔室中大面积基板上沉积均一膜的方法。通过建立一中性电流分流路径,腔室被建构成在处理期间为电性对称,该中性电流分流路径可以实质上减少中性电流,其中该中性电流是通过腔室中一产生磁场的特征结构(例如一狭缝阀开口或其它腔室壁穿孔)。 | ||
搜索关键词: | 改善 大面积 均匀 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种在大面积基板上沉积薄膜的方法,其包含:放置基板于基板支撑件上,该基板支撑件被装设在处理腔室的处理凹部中,其中该腔室包含:至少产生磁场的特征结构;位于该处理凹部中的至少一区域,其中等离子实质上被该至少一产生磁场的特征结构所影响;以及扩散板,其包含数个气体通道;将处理流体流动通过该扩散板而朝向被支撑在该基板支撑件上的该基板,其中该扩散板适用以依需要改变位于该处理凹部中的该至少一区域内的等离子密度,以获得希望的膜均匀性;以及在该扩散板与该基板支撑件之间建立一等离子。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的