[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 200780010510.5 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101410908A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 西川和予;上南雅裕;新田忠司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407;G11C11/4076;G11C11/4091;G11C11/4099 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体存储装置,其中包括:地址端子,其输入将存储器阵列中的存储数据读出的地址;时钟输入端子,其将输入时钟输入;数据输出端子,其对根据上述地址从存储器阵列读出的数据进行输出;和时钟输出端子,其对与上述输入时钟同步的输出时钟进行输出;上述时钟输出端子始终输出第一电压和第二电压中的一方,并且,仅在从上述数据输出端子输出了有效数据的情况下,使输出电压从第一电压迁移到第二电压,或从一方电压迁移到另一方电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体存储装置,其中包括:地址端子,其输入将存储器阵列中的存储数据读出的地址;时钟输入端子,其将输入时钟输入;数据输出端子,其对根据上述地址从存储器阵列读出的数据进行输出;和时钟输出端子,其对与上述输入时钟同步的输出时钟进行输出;上述时钟输出端子始终输出第一电压和第二电压中的一方,并且,仅在从上述数据输出端子输出了有效数据的情况下,使输出电压从第一电压迁移到第二电压,或从一方电压迁移到另一方电压。
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