[发明专利]在半导体加工中蚀刻金属硬掩模材料的组合物有效
| 申请号： | 200780010521.3 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101410481A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | N·米斯特卡维;L·多明格斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C09K13/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;范 赤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于金属硬掩模的蚀刻溶液。所述蚀刻溶液包含稀HF(氢氟酸)和含硅前体的混合物。所述蚀刻溶液还包含表面活性剂、羧酸和铜腐蚀抑制剂。所述蚀刻溶液选择性蚀刻所述金属硬掩模材料(例如，钛)，同时抑制钨、铜、氧化物电介质材料和掺碳氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 蚀刻 金属 硬掩模 材料 组合 | ||
【主权项】：
1、湿蚀刻溶液，所述湿蚀刻溶液能够选择性蚀刻钛同时抑制钨、铜、氧化物电介质材料和掺碳氧化物。
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