[发明专利]具有并联导电层的突变金属-绝缘体转变装置有效
| 申请号： | 200780010619.9 | 申请日： | 2007-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101410984A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 金铉卓;蔡秉圭;姜光镛;金俸准;李镕旭;尹善真 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种具有并联导电层的突变MIT(金属-绝缘体转变)装置。所述突变MIT装置包括设置于衬底特定区域的第一电极、设置于与所述第一电极分开预定距离的第二电极，和至少一个导电层，其电连接所述第一电极和所述第二电极，并且具有允许所述导电层的整个区域由于MIT而转变为金属层的宽度。因为这样的布局，减少了通常由于流过所述导电层的电流引起的导电层恶化的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 并联 导电 突变 金属 绝缘体 转变 装置 | ||
【主权项】：
1.一种突变MIT(金属-绝缘体转变)装置，包括：至少一个导电层，其具有允许所述导电层的整个区域由于MIT而转变为金属层的宽度。
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