[发明专利]对称MIM电容器设计

摘要

本发明提供了半导体芯片电容电路和方法，其包括接近于衬底来安装的至少两个电容器，其中，每个电容器具有横向下导电极板，其接近于衬底而安装至足以具有大于顶部极板非本征电容的非本征电容。下极板的一半和上极板的一半连接到第一端口，上极板和下极板的剩余的一半连接到第二端口，第一和第二端口具有与下极板的大约相等的非本征电容。一方面，所述衬底包括限定衬底占地区的线程前端电容器，并且所述至少两个电容器是布置在所述占地区上的后端前金属-绝缘体-金属电容器。另一方面，所述至少两个电容器是排列为大体上平行于所述衬底的矩形阵列的至少四个电容器。

主权项

1.一种安装在半导体芯片上的电容电路组件，其包括芯片衬底；接近于衬底安装的至少两个电容器；其中，每个电容器具有被介电材料隔开的第一和第二导电极板；其中，每个第二导电极板安装得平面地接近所述衬底至足以具有大于每个第一导电极板的非本征电容的与所述衬底之间的第二极板非本征电容；所述第一极板的一半和所述第二极板的一半通过第一端口电路而连接到第一端口，其中，第一端口具有来自于所述第二极板的一半的第一端口复合非本征电容；以及所述第一极板的剩余的一半和所述第二极板的剩余的一半通过第二端口电路而连接到第二端口，其中，第二端口具有来自于所述第二极板的剩余的一半的第二端口复合非本征电容，第二端口复合非本征电容大约等于第一端口复合非本征电容。