[发明专利]不合并情况下的沟槽加宽有效
| 申请号： | 200780010886.6 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101410988A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;R·迪瓦卡鲁尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制造方法，包括提供半导体结构的步骤。该半导体结构包括半导体基板和所述半导体基板中的沟槽。该沟槽包括侧壁，该侧壁包括{100}侧壁面和{110}侧壁面。所述半导体结构还包括阻挡层，其位于所述{100}侧壁面和所述{110}侧壁面上。该方法还包括以下步骤：去除阻挡层在{110}侧壁面上的部分而不去除阻挡层在{100}侧壁面上的部分，从而使得{110}侧壁面曝露于周围环境。 | ||
| 搜索关键词： | 合并 情况 沟槽 加宽 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，该半导体结构包括：(a)半导体基板；(b)所述半导体基板中的沟槽，其中，该沟槽包括侧壁，并且其中，该侧壁包括{100}侧壁面和{110}侧壁面；以及(c)阻挡区，其位于所述{100}侧壁面上而不在所述{110}侧壁面上。
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