[发明专利]微波等离子体CVD系统无效

专利信息
申请号: 200780011115.9 申请日: 2007-01-29
公开(公告)号: CN101410549A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 植田晓彦;目黑贵一;山本喜之;西林良树;今井贵浩 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C23C16/511 分类号: C23C16/511;C30B29/04;H01L21/205
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 林月俊;安 翔
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种微波等离子体CVD系统,其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括:真空腔(1),其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2);基材支持台(11),用于支持真空腔内基材;波导,用于将微波导入至开口部;介电窗(22),用于将微波导入至真空腔;以及天线部(25),用于将微波导入至真空腔,该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成,该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心,该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗,并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
搜索关键词: 微波 等离子体 cvd 系统
【主权项】:
1.一种微波等离子体CVD装置,至少包括:真空腔,其具有用于导入微波的开口部;波导,其用于将所述微波导入至所述开口部;介电窗,其用于将所述微波导入至所述真空腔内;天线部,其末端上形成有电极部,该天线部用于将微波导入至所述真空腔内;以及基材支持台,其用于支持所述真空腔内的基材,所述介电窗夹持在所述真空腔的内表面与所述电极部之间,其中,所述电极部的端面形成为宽于所述介电窗的端面,使得介电窗被遮蔽,在所述电极部的面对该真空腔的中心的表面中形成凹部,并且所述凹部在面对所述真空腔中心的表面处的直径处于导入的微波的1/3至5/3波长范围内,且所述凹部从面对所述真空腔中心的表面到所述凹部的最深部的深度处于导入的微波的1/20至3/5波长范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780011115.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top