[发明专利]微波等离子体CVD系统无效
申请号: | 200780011115.9 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN101410549A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 植田晓彦;目黑贵一;山本喜之;西林良树;今井贵浩 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C30B29/04;H01L21/205 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林月俊;安 翔 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种微波等离子体CVD系统,其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括:真空腔(1),其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2);基材支持台(11),用于支持真空腔内基材;波导,用于将微波导入至开口部;介电窗(22),用于将微波导入至真空腔;以及天线部(25),用于将微波导入至真空腔,该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成,该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心,该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗,并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 cvd 系统 | ||
【主权项】:
1.一种微波等离子体CVD装置,至少包括:真空腔,其具有用于导入微波的开口部;波导,其用于将所述微波导入至所述开口部;介电窗,其用于将所述微波导入至所述真空腔内;天线部,其末端上形成有电极部,该天线部用于将微波导入至所述真空腔内;以及基材支持台,其用于支持所述真空腔内的基材,所述介电窗夹持在所述真空腔的内表面与所述电极部之间,其中,所述电极部的端面形成为宽于所述介电窗的端面,使得介电窗被遮蔽,在所述电极部的面对该真空腔的中心的表面中形成凹部,并且所述凹部在面对所述真空腔中心的表面处的直径处于导入的微波的1/3至5/3波长范围内,且所述凹部从面对所述真空腔中心的表面到所述凹部的最深部的深度处于导入的微波的1/20至3/5波长范围内。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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