[发明专利]使用软光刻法形成纳米级特征的方法无效
| 申请号： | 200780011131.8 | 申请日： | 2007-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101410753A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | A·施姆;J·罗杰斯;F·华;K·法;P·波恩 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B01L3/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张 钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供使用软光刻法形成分子膜的方法。该方法包括在可模塑的聚合物组合物中形成具有至少一个纳米级特征的图案，和将所述图案的至少一部分配置成与第一衬底邻近。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光刻 形成 纳米 特征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：在可模塑的聚合物组合物中形成包括至少一个纳米级特征的图案，和将所述图案的至少一部分配置成与第一衬底邻近。
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