[发明专利]用于集成电路的功率半导体器件结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200780011155.3 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101410987A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 简·雄斯基;格哈德·库普斯;罗伯·范丹兰 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，所述器件包括到配置在沟槽(11)的上部分的导电栅极，所述沟槽(11)形成在半导体衬底(1)中，和在与导电栅极平行的沟槽中延伸到大于到导电栅极的深度的导电场板。场板通过比栅极绝缘层厚的场板绝缘层与沟槽的壁和底部绝缘。在一个实施例中，场板在沟槽中与栅极绝缘。在相邻沟槽的第一和第二侧的衬底的表面处配置第一导电类型的杂质掺杂区域，并且形成源极和漏极区域，在沟槽(11)的第一侧上的源极区域下形成第二导电类型的本体区(7)。导电栅极通过栅极绝缘层与本体区(7)绝缘。一种制造半导体器件的方法与常规的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 功率 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽栅极半导体器件，包括：半导体衬底(1)，具有第一主表面(3)；沟槽(11)，从所述第一主表面(3)延伸到所述衬底(1)中；第一导电类型的第一和第二杂质掺杂区域(4a，4b)，位于与第一主表面(3)相邻的沟槽(11)的各自第一和第二相对侧处；与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区(7)，仅形成在所述沟槽(11)的第一侧上的第一杂质掺杂区域(4b)下面；第一导电类型的漂移区(5)，位于本体区(7)和第二杂质掺杂区域(4a)下面，所述沟槽(11)终止于所述漂移区(5)中；导电栅极(6；66)，通过栅极绝缘体(9)与所述本体区(7)绝缘；以及所述沟槽(11)中的导电场板(8)，所述场板(8)与所述导电栅极平行延伸到沟槽中(11)，达到大于或等于导电栅极深度的深度，其中所述场板(8)通过场板绝缘层(15)与所述沟槽(11)中的漂移区(5)绝缘，并且其中所述场板绝缘层(15)的厚度基本上大于所述栅极绝缘体(9)的厚度。
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