[发明专利]用晶片均匀性控制进行动态计量采样

摘要

本发明涉及用晶片均匀性控制进行动态计量采样。提出了一种用于处理晶片的方法，包括用用于晶片的测得计量数据创建预处理测量地图，该数据包括用于晶片上至少一个隔离结构的计量数据、用于晶片上至少一个嵌套结构的计量数据、双层掩膜数据和ARC层数据。为晶片计算至少一个预处理预计地图。为晶片计算预处理信心地图。预处理信心地图包括用于晶片上多个管芯的信心数据组。当用于一个或多个管芯的信心数据不在信心极限内时确定优先级排序的测量站点。然后创建新的测量配方，新的测量配方包括优先级排序的测量站点。

主权项

1.一种处理晶片的方法，包括：接收晶片，其中，所述晶片包括多个管芯，每个管芯具有至少一个位于其他层顶部的图案化硬掩膜层；确定用于所述晶片的计量数据，其中，所述计量数据包括用于所述晶片上至少一个硬掩膜特征的临界尺寸数据以及用于所述至少一个其他层的数据，所述计量数据是用历史数据、或测得数据、或历史数据与测得数据的组合来对于所述晶片上第一数目个测量站点确定的；用所述计量数据创建用于所述晶片的预处理测量地图；计算用于所述晶片的第一预处理预计地图，所述第一预处理预计地图包括用于所述晶片上第一管芯组的第一预计测得数据组；计算用于所述晶片的第二预处理预计地图，所述第二预处理预计地图包括用于所述晶片上第二管芯组的第二预计测得数据组；计算用于所述晶片的预处理信心地图，所述预处理信心地图包括用于所述晶片上第三管芯组的信心数据组，其中，所述信心数据是至少用所述第一预处理预计地图来确定的；当用于一个或多个管芯的信心数据不在用于所述晶片的信心极限内时，确定优先级排序的测量站点；和用新测量配方获得用于所述晶片的新计量数据，所述新测量配方包括所述优先级排序的测量站点。