[发明专利]用于制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法和设备有效
| 申请号： | 200780011616.7 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101415867A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎史郎;岩井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na-Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 氮化物 化合物 半导体 方法 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的方法，所述方法包括向保持熔融状态的包含第III族金属和与所述第III族金属不同的金属的熔剂供给含氮的气体，其特征在于，在所述含氮的气体与所述熔融物质接触之前，供给到所述熔剂的所述含氮的气体被加热到几乎等于所述熔融物质温度的温度。
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