[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200780011729.7 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101416298A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 广濑雅庸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;G11C11/401;G11C11/4097 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件。作为一个例子的半导体存储器件在每个形成在半导体衬底上的一处N型扩散层(OD)上，在其与字线(WL)或者位线选择线(KS)的交叉位置，形成有2个存储单元门(TG)或者位线连接门(SW)。N型扩散层(OD)的中间部附近被作为2个栅极共用的源极/漏极区域，而两端部附近被作为各门各自的源极/漏极区域。源极/漏极区域经由存储接点(CA)而连接到存储单元电容的存储电极(SN)上，或者经由子位线接点(CH)和金属布线的导通孔而连接到子位线、或者主位线上。存储单元门(TG)和位线连接门(SW)被配置成4个为单位重复相同的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储器件，包括：多个子存储器阵列，分别具有包含单元晶体管的多个存储单元和子位线；主位线；以及位线连接晶体管，将上述子位线选择性地连接到上述主位线上，其特征在于：上述子存储器阵列被配置成子位线沿着上述主位线而依次排列，并且，上述单元晶体管和位线连接晶体管被配置成以预定数量单位重复相同的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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